Group iii nitride semiconductor laser diode



<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a group III nitride semiconductor laser diode capable of laser oscillation at a low threshold. <P>SOLUTION: A support substrate 13 has a semipolar or nonpolar primary surface 13a. The "c" axis Cx of the group III nitride is oblique with respect to the primary surface 13a. An n-type cladding region 15 and a p-type cladding region 17 are disposed on the primary surface 13a of the support substrate 13. A core semiconductor region 19 is disposed between the n-type cladding region 15 and the p-type cladding region 17. The core semiconductor region 19 includes a first light guide layer 21, an active layer 23, and a second light guide layer 25. The active layer 23 is disposed between the first light guide layer 21 and second light guide layer 25. The thickness D19 of the core semiconductor region 19 is 0.5 μm or greater. By means of this structure, light does not escape to the support substrate 13 and can be confined to the core semiconductor region 19; as a result, the threshold current can be reduced. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
【課題】低いしきい値でレーザ発振可能なIII族窒化物半導体レーザダイオードを提供する。 【解決手段】支持基体13は、半極性または無極性の主面13aを有する。III族窒化物のc軸Cxは主面13aに対して傾斜している。n型クラッド領域15及びp型クラッド領域17は支持基体13の主面13a上に設けられている。コア半導体領域19は、n型クラッド領域15とp型クラッド領域17との間に設けられている。コア半導体領域19は、第1光ガイド層21、活性層23及び第2光ガイド層25を含む。活性層23は第1光ガイド層21と第2光ガイド層25との間に設けられる。コア半導体領域19の厚さD19は0.5μm以上である。この構造は、支持基体13に光を逃がすことなくコア半導体領域19に光を閉じ込めることができ、これ故にしきい値電流を低減できる。 【選択図】図1




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Patent Citations (6)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    JP-2006128661-AMay 18, 2006Matsushita Electric Ind Co Ltd, 松下電器産業株式会社窒化物系半導体レーザ
    JP-2007243219-ASeptember 20, 2007Nichia Chem Ind Ltd, 日亜化学工業株式会社Semiconductor device
    JP-2008060375-AMarch 13, 2008Sanyo Electric Co Ltd, 三洋電機株式会社Nitride semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same
    JP-2009071341-AApril 02, 2009Mitsubishi Electric Corp, 三菱電機株式会社Nitride-semiconductor light emitting element
    JP-2009076858-AApril 09, 2009Nichia Corp, 日亜化学工業株式会社窒化物半導体レーザ素子
    JP-2009129973-AJune 11, 2009Mitsubishi Electric Corp, 三菱電機株式会社Method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

NO-Patent Citations (0)


Cited By (4)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    JP-2012174868-ASeptember 10, 2012Sumitomo Electric Ind Ltd, Sony Corp, ソニー株式会社, 住友電気工業株式会社レーザダイオード
    JP-2012182203-ASeptember 20, 2012Sumitomo Electric Ind Ltd, 住友電気工業株式会社Group-iii nitride semiconductor element, and method of producing the same
    JP-2012248575-ADecember 13, 2012Sumitomo Electric Ind Ltd, 住友電気工業株式会社, Sony Corp, ソニー株式会社Nitride semiconductor laser element, epitaxial substrate, and method of manufacturing nitride semiconductor laser element
    WO-2012161268-A1November 29, 2012住友電気工業株式会社, ソニー株式会社Nitride semiconductor laser element, epitaxial substrate, and method for fabricating nitride semiconductor laser element