Semiconductor light-emitting device and method for producing the same

半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法

Abstract

【課題】本発明の実施形態は、色度ずれを抑制することができる半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法を提供する。 【解決手段】実施形態によれば、第1主面と、前記第1主面の反対面である第2主面と、前記第2主面上に形成された第1電極部および第2電極部と、を有する発光部と、前記第1主面側に設けられ、蛍光体を含有する波長変換部と、前記第1電極部に設けられた第1導電部と、前記第2電極部に設けられた第2導電部と、前記第2主面側に設けられ、前記第1導電部の端部および前記第2導電部の端部を露出させつつ前記第1導電部および前記第2導電部を封止した封止部と、を備えた半導体発光装置が提供される。前記波長変換部は、内部における光路長が前記発光部の発光特性に応じて色度ずれが抑制される長さとなるような形状を有する。 【選択図】図1
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor light-emitting device capable of suppressing chromaticity deviation, and to provide a method for producing the same.SOLUTION: The semiconductor light-emitting device comprises: a light-emitting part including a first principal surface, a second principal surface that is formed on the opposite surface of the first principal surface, and a first electrode and a second electrode that are formed on the second principal surface; a wavelength conversion section that is formed on the first principal surface, and contains fluorescent material; a first conductive part provided on the first electrode; a second conductive part provided on the second electrode; and a sealing part that is formed on the second principal surface side, and seals the first conductive part and the second conductive part while exposing an end of the first conductive part and an end of the second conductive part. The wavelength conversion section has a shape such that the optical path length inside is a length in which chromaticity deviation is prevented depending on the emission property of the light-emitting part.

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